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Référence fabricant

STD3NK50ZT4

N-Channel 500 V 3.3 Ohm Zener-Protected SuperMESH Power MosFet - TO-252

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date: 1620
Product Specification Section
STMicroelectronics STD3NK50ZT4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500V
Drain-Source On Resistance-Max: 3.3Ω
Rated Power Dissipation: 45W
Qg Gate Charge: 11nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 2.3A
Turn-on Delay Time: 8ns
Turn-off Delay Time: 24ns
Rise Time: 13ns
Fall Time: 14ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.75V
Input Capacitance: 280pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
726
États-Unis:
726
Coût par unité 
4,72 $
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Prix unitaire:
$1.22 USD Chaque
Total 
9,44 $
USD

$7.00 les frais d’enroulage sont amortis par le nombre de composants pour chaque bobine.
Les mini-bobines sont des produits personnalisés et ne peuvent pas être annulés ou remboursés.