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STMicroelectronics | STD6N60M2

Référence fabricant

STD6N60M2

600 V 1.06 Ohmm typ., 4.5 A N-Channel MDmesh™ M2 Power Mosfet - DPAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD6N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.2Ω
Rated Power Dissipation: 60|W
Qg Gate Charge: 8nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
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Total 
1 550,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.62
5 000
$0.61
7 500
$0.605
10 000
$0.60
12 500+
$0.59
Product Variant Information section