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Référence fabricant
SCT4013DW7TL
750 V 98 A 267 W Surface Mount N-Channel SiC Power MOSFET-TO-263-7L
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2224 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM SCT4013DW7TL - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT4013DW7TL&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct4013dw7tl-rohm-5169249
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ROHM SCT4013DW7TL - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 750V |
| Drain Current: | 98A |
| Input Capacitance: | 4580pF |
| Power Dissipation: | 267W |
| Operating Temp Range: | 175°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
25
États-Unis:
25
Sur commande :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1+
$28.94
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par
Méthode de montage :
Surface Mount