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Référence fabricant
DMP3021SFVWQ-7
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETPowerDI3333-8
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Style d'emballage :POWERDI3333-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMP3021SFVWQ-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMP3021SFVWQ-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmp3021sfvwq-7-diodes-incorporated-4144914
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Diodes Incorporated DMP3021SFVWQ-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 15mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1W |
| Qg Gate Charge: | 34nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 11A |
| Turn-on Delay Time: | 6.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 35.8ns |
| Rise Time: | 18.3ns |
| Fall Time: | 23.7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 1799pF |
| Style d'emballage : | POWERDI3333-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.275
4 000
$0.27
10 000
$0.265
30 000+
$0.26
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
POWERDI3333-8
Méthode de montage :
Surface Mount