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Référence fabricant
FDMS7602S
FDMS7602S Series 30 V 12 A/17 A SMT Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET - POWER-56
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER 56-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDMS7602S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMS7602S&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdms7602s-onsemi-5008000
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onsemi FDMS7602S - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1|W |
| Qg Gate Charge: | 20nC |
| Style d'emballage : | POWER 56-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMS7602S is a device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual MLP package.The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Features:
- Q1: N-Channel
- Max rDS(on) = 7.5 mO at VGS = 10 V, ID = 12 A
- Max rDS(on) = 12 mO at VGS = 4.5 V, ID = 10 A
- Q2: N-Channel
- Max rDS(on) = 5.0 mO at VGS = 10 V, ID = 17 A
- Max rDS(on) = 6.8 mO at VGS = 4.5 V, ID = 14 A
- RoHS Compliant
Applications:
- Computing
- Communications
- General Purpose Point of Load
- Notebook VCORE
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER 56-8
Méthode de montage :
Surface Mount
