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Référence fabricant
IRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFI1310NPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFI1310NPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfi1310npbf-infineon-5644034
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Infineon IRFI1310NPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.036Ω |
| Rated Power Dissipation: | 56|W |
| Qg Gate Charge: | 120nC |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.90
200
$0.875
1 000
$0.85
2 000
$0.835
6 250+
$0.81
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Méthode de montage :
Flange Mount