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Référence fabricant

IRFS7537TRLPBF

Single N-Channel 60V 3.3 mOhm 142 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFS7537TRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 3.3mΩ
Rated Power Dissipation: 230W
Qg Gate Charge: 142nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 173A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 82ns
Rise Time: 105ns
Fall Time: 84ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3.7V
Input Capacitance: 7020pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
Total 
460,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$0.575
2 400
$0.565
3 200
$0.56
8 000
$0.555
12 000+
$0.545
Product Variant Information section