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Référence fabricant
STL13N60DM2
N-Channel 600 V 370 mOhm MDmesh™ DM2 Power MOSFET-PowerFLAT™ 5x6 HV
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER FLAT Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STL13N60DM2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STL13N60DM2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stl13n60dm2-stmicroelectronics-2077324
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STMicroelectronics STL13N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 370mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 52W |
| Qg Gate Charge: | 19nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 12.3ns |
| Turn-off Delay Time: | 42.5ns |
| Rise Time: | 4.8ns |
| Fall Time: | 10.6ns |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 730pF |
| Style d'emballage : | POWER FLAT |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.975
6 000+
$0.95
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER FLAT
Méthode de montage :
Surface Mount