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Référence fabricant

STP120NF10

N-Channel 100 V 10.5 mO STripFET™ II MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2218
Product Specification Section
STMicroelectronics STP120NF10 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.0105Ω
Rated Power Dissipation: 312|W
Qg Gate Charge: 233nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
50
Total 
2 440,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$1.28
40
$1.26
150
$1.24
750
$1.22
2 500+
$1.19
Product Variant Information section