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Référence fabricant
STP31N65M5
N-Channel 650 V 22 A 148 mOhm Through Hole MDmesh™ V Power Mosfet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP31N65M5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP31N65M5&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp31n65m5-stmicroelectronics-6023163
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STMicroelectronics STP31N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.148Ω |
| Rated Power Dissipation: | 150|W |
| Qg Gate Charge: | 45nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.86
200
$1.83
750
$1.80
1 250
$1.79
2 500+
$1.76
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)