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Référence fabricant
DMN65D8LDWQ-7
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET - 60V SOT363 AECQ10 AUALIFIED
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-363 (SC-70-6, SC-88) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2309 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN65D8LDWQ-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn65d8ldwq-7-diodes-incorporated-8094796
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Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.3W |
| Qg Gate Charge: | 0.87nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 180mA |
| Turn-on Delay Time: | 3.3ns |
| Turn-off Delay Time: | 12ns |
| Rise Time: | 3.2ns |
| Fall Time: | 6.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 22pF |
| Style d'emballage : | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0492
9 000
$0.0481
30 000
$0.0469
60 000
$0.0462
120 000+
$0.0449
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage :
Surface Mount