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Référence fabricant
HUF75639S3ST
N-Channel 100 V 0.025 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263AB Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2333 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi HUF75639S3ST - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=HUF75639S3ST&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/huf75639s3st-onsemi-3604808
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onsemi HUF75639S3ST - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.025Ω |
| Rated Power Dissipation: | 200|W |
| Qg Gate Charge: | 110nC |
| Style d'emballage : | TO-263AB |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The HUF75639S3ST is a N-Channel power MOSFET and is manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance
This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge
Features:
- 56 A, 100 V
- Simulation models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models
- SPICE and SABER Thermal Impedance Models
- Peak Current vs Pulse Width Curve
Applications:
Pricing Section
Stock global :
800
États-Unis:
800
Sur commande :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$1.28
1 600
$1.27
3 200
$1.26
4 000+
$1.25
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263AB
Méthode de montage :
Surface Mount