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Référence fabricant

IPD25CN10NGATMA1

Single N-Channel 100 V 25 mOhm 23 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IPD25CN10NGATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 25mΩ
Rated Power Dissipation: 71|W
Qg Gate Charge: 23nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
1 250,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.50
5 000
$0.495
7 500
$0.49
12 500+
$0.48
Product Variant Information section