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Référence fabricant
NVHL110N65S3F
NVB110Nxx Series 650 V 110 mOhm 30 A Single N-Channel Power Mosfet - D2PAK-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVHL110N65S3F - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NVHL110N65S3F&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nvhl110n65s3f-onsemi-7110582
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onsemi NVHL110N65S3F - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 110mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 240W |
| Qg Gate Charge: | 58nC |
| Drain Current: | 30A |
| Turn-on Delay Time: | 29ns |
| Turn-off Delay Time: | 61ns |
| Rise Time: | 32ns |
| Fall Time: | 16ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Input Capacitance: | 2560pF |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450
$3.45
900
$3.42
1 350
$3.40
1 800
$3.39
2 250+
$3.36
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole