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STMicroelectronics | STW45NM50

Référence fabricant

STW45NM50

N-Channel 500 V 0.1 Ω 87 nC Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2509
Product Specification Section
STMicroelectronics STW45NM50 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.1Ω
Rated Power Dissipation: 417|W
Qg Gate Charge: 87nC
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The STW45NM50 MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout.

The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competitor’s products.

Features:

  • 100% avalanche tested
  • High dv/dt and avalanche capabilities
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Applications:

  • Switching applications
Pricing Section
Stock global :
4 435
États-Unis:
4 435
Sur commande :Order inventroy details
1 800
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
5
Multiples de :
1
Total 
26,70 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5
$5.34
25
$5.28
100
$5.24
250
$5.21
1 000+
$5.13
Product Variant Information section
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