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Référence fabricant
STW45NM60
N-Channel 650 V 0.11 Ohm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Flange Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STW45NM60 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STW45NM60&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stw45nm60-stmicroelectronics-4912135
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STMicroelectronics STW45NM60 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.11Ω |
| Rated Power Dissipation: | 417|W |
| Qg Gate Charge: | 134nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The STW4NM60 MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the Company’s PowerMESH™ horizontal layout.
The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competitor’s products.
Features:
- High dv/dt and avalanche capabilities
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Applications:
- Switching application
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Flange Mount
