Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65 Series N-Channel 650 V 54A 211W SMD Silicon Carbide MOSFET TO-263-8
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :D2PAK-7 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2401 | ||||||||||
Infineon IMBG65R039M1HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Subject CoolSiCTM 650V G1 SiC datasheets revision updatesReason: (1) Naming and nomenclature update according to IEC 60747-8 Amd.1 Ed.3.03 from 2020(2) Update Tj,max from 150°C to 175°C for the following products:IMW65R027M1H, IMW65R048M1H,IMW65R072M1H,IMW65R107M1H,IMZA65R027M1H, IMZA65R048M1H,IMZA65R072M1H and IMZA65R107M1H(3) Extend the VGS(static) and VGS(dynamic) specs of products reported in Table 1 in TO247-3pin and TO247-4pin package.(4) Datasheet template harmonization with respect to CoolSiCTM MOSFET 650V G2
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMBG65R039M1HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imbg65r039m1hxtma1-infineon-8182254
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMBG65R039M1HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imbg65r039m1hxtma1-infineon-8182254
Infineon IMBG65R039M1HXTMA1 - Caractéristiques techniques
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 54A |
| Input Capacitance: | 1393pF |
| Power Dissipation: | 211W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | D2PAK-7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
D2PAK-7
Méthode de montage :
Surface Mount