Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
2STF2360
2STF2360 Series PNP 60 V 3 A Low Voltage Fast-Switching Power Transistor -SOT-89
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOT-89 (SC-62) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2536 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics 2STF2360 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2STF2360&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2stf2360-stmicroelectronics-3034884
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2STF2360&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2stf2360-stmicroelectronics-3034884
STMicroelectronics 2STF2360 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | PNP |
| Type: | Power Transistor |
| CE Voltage-Max: | 60V |
| Collector Current Max: | 3A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.4W |
| DC Current Gain-Min: | 160 |
| Style d'emballage : | SOT-89 (SC-62) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The 2STF2360 is a PNP 60 V 3 A Low Voltage Fast-Switching Power Transistor and it is available in a SOT-89 package.
The devices are PNP transistors manufactured using new “PB-HDC” (power bipolar high density current) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Features:
- Very low collector-emitter saturation voltage
- High current gain characteristic
- Fast switching speed
Applications:
- Emergency lighting
- LED
- Voltage regulation
- Relay drive
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.146
5 000
$0.144
7 500
$0.143
10 000
$0.142
12 500+
$0.14
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-89 (SC-62)
Méthode de montage :
Surface Mount