Référence fabricant
DMP10H4D2S-7
DMP10H4D2S Series 100V 270 mA P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2508 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.38W |
| Qg Gate Charge: | 1.8nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 0.27A |
| Turn-on Delay Time: | 3.3ns |
| Turn-off Delay Time: | 8.4ns |
| Rise Time: | 2.6ns |
| Fall Time: | 4.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.3V |
| Input Capacitance: | 87pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
12 000
États-Unis:
12 000
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0545
9 000
$0.0532
15 000
$0.0526
60 000
$0.0511
90 000+
$0.05
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount