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Référence fabricant
DMP6110SSS-13
P-Channel 60 V 4.5 A 110 mΩ 19.4 nC Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2513 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMP6110SSS-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMP6110SSS-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmp6110sss-13-diodes-incorporated-8062597
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Diodes Incorporated DMP6110SSS-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 110mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.5W |
| Qg Gate Charge: | 9.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | -4.5A |
| Turn-on Delay Time: | 3.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 58.7ns |
| Rise Time: | 6.3ns |
| Fall Time: | 26.1ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Input Capacitance: | 1030pF |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
15 000
États-Unis:
15 000
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.20
10 000
$0.197
12 500
$0.196
37 500+
$0.192
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount