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Référence fabricant
FDA69N25
Single N-Channel 250 V 0.041 Ohm 100 nC 480 W Silicon Through Hole Mosfet TO-3PN
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-3PN Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDA69N25 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDA69N25&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fda69n25-onsemi-1490036
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onsemi FDA69N25 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.041Ω |
| Rated Power Dissipation: | 480W |
| Qg Gate Charge: | 100nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 69A |
| Turn-on Delay Time: | 200ns |
| Turn-off Delay Time: | 270ns |
| Rise Time: | 1720ns |
| Fall Time: | 450ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 18.9mm |
| Length: | 16.2mm |
| Input Capacitance: | 3570pF |
| Style d'emballage : | TO-3PN |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$2.73
120
$2.68
450
$2.64
900
$2.62
2 250+
$2.58
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-3PN
Méthode de montage :
Through Hole