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Référence fabricant
FDB2710
N-Channel 250 V 42.5 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDB2710 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDB2710&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdb2710-onsemi-7969116
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onsemi FDB2710 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 42.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 260|W |
| Qg Gate Charge: | 101nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDB2710 is a FDB2710 Series 250 V 42.5 mΩ N-Channel PowerTrench Mosfet Available in- D2PAK-3 package
Product Features:
- 50 A, 250 V, RDS(on) = 36.3 mΩ @VGS = 10 V
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS(on)
- High power and current handling capability
Applications:
- PDP application
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$2.62
1 600
$2.60
2 400
$2.59
3 200+
$2.58
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount