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Référence fabricant
FDP16AN08A0
FDP16AN08A0 Series 75 V 58 A 16 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - TO-220
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDP16AN08A0 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDP16AN08A0&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdp16an08a0-onsemi-7178007
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onsemi FDP16AN08A0 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 75V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 16mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 135|W |
| Qg Gate Charge: | 28nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$0.945
1 600
$0.93
2 400
$0.925
3 200
$0.92
4 000+
$0.90
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole