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Référence fabricant
FDP51N25
N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
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onsemi FDP51N25 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDP51N25&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdp51n25-onsemi-4008022
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onsemi FDP51N25 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 60mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 320|W |
| Qg Gate Charge: | 70nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDP51N25 is a N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction
Features:
- 51 A, 250 VRDS(on) = 0.060 mW @ VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 55 nC)
- Low Crss ( typical 63 pF)
- Fast switching
- Improved dv/dt capability
View the complete family of N-Channel MOSFETS
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Flange Mount