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onsemi | FQD11P06TM

Référence fabricant

FQD11P06TM

P-Channel 60 V 0.185 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2438
Product Specification Section
onsemi FQD11P06TM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.185Ω
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 13nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FQD11P06TM is a 60 V 0.185 Ω P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology

This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a high energy pulse in the avalanche and commutation modes. 

Features:

  • -9.4 A, -60 V, RDS(on) = 0.185 Ω @VGS = -10 V
  • Low gate charge (typical 13nC)
  • Low Crss (typical 45pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability

Applications:

  • High efficiency switching DC/DC converters
  • Switch mode power supply,
  • Motor control
  • Audio amplifier
  • DC-AC converters
Pricing Section
Stock global :
20 000
États-Unis:
20 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 200,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.48
5 000
$0.475
10 000
$0.47
12 500+
$0.465
Product Variant Information section