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Référence fabricant
FQP8N80C
N-Channel 800 V 8 A 1.55 Ohm Through Hole QFET® MOSFET - TO-220
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FQP8N80C - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQP8N80C&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqp8n80c-onsemi-3532603
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onsemi FQP8N80C - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.55Ω |
| Rated Power Dissipation: | 178W |
| Qg Gate Charge: | 35nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 40ns |
| Turn-off Delay Time: | 65ns |
| Rise Time: | 110ns |
| Fall Time: | 70ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Input Capacitance: | 1580pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.67
2 000
$1.66
3 000
$1.65
5 000+
$1.63
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole