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Référence fabricant

IMT65R072M1HXUMA1

CoolSiC Series 650 V 36 A 94 mOhm Single N-Channel MOSFET - PG-HSOF-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IMT65R072M1HXUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 94mΩ
Rated Power Dissipation: 174W
Qg Gate Charge: 22nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 23V
Drain Current: 36A
Turn-on Delay Time: 6.1ns
Turn-off Delay Time: 12.1ns
Rise Time: 7.9ns
Fall Time: 7ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 5.7V
Input Capacitance: 744pF
Style d'emballage :  HSOF-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
Total 
5 820,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000+
$2.91
Product Variant Information section