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Référence fabricant
NTTFS5116PLTWG
-60V,20V,72m0hm QFN 3X3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :WDFN-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2530 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTTFS5116PLTWG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTTFS5116PLTWG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nttfs5116pltwg-onsemi-2186552
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onsemi NTTFS5116PLTWG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 52mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.2W to 40W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 5.7A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 30ns |
| Rise Time: | 58ns |
| Fall Time: | 37ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Input Capacitance: | 1258pF |
| Style d'emballage : | WDFN-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
30 000
États-Unis:
30 000
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.32
15 000
$0.315
25 000+
$0.31
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
WDFN-8
Méthode de montage :
Surface Mount