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Référence fabricant
STB11NM80T4
N-Channel 800 V 35 mΩ 150 W Surface Mount Power MosFet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2516 | ||||||||||
STMicroelectronics STB11NM80T4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB11NM80T4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb11nm80t4-stmicroelectronics-4351474
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STMicroelectronics STB11NM80T4 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 150|W |
| Qg Gate Charge: | 43.6nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STB11NM80T4 is a MDmesh™ associates the multiple drain process with the company’s PowerMesh™ horizontal layout assuring an outstanding low onresistance.
The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.
Faetures:
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Best RDS(on)*Qg in the industry
Application:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount