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STMicroelectronics | STW10NK80Z

Référence fabricant

STW10NK80Z

N-Channel 800 V 0.9 Ohm Flange Mount SuperMESH™ MOSFET - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW10NK80Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.9Ω
Rated Power Dissipation: 160|W
Qg Gate Charge: 72nC
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The STW10NK80Z is a SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.

Features:

  • Extremely high dv/dt capability
  • 100% avalanche tested
  • Gate charge minimized
  • Very low intrinsic capacitances
  • Very good manufacturing repeability

Applications:

  • Switching application

View the Complete family of STW1 Mosfet Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
1 368,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$2.35
120
$2.31
450
$2.28
900
$2.26
2 250+
$2.22
Product Variant Information section