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Référence fabricant
ZVNL110A
N-Channel 100 V 4.5 Ohm 700 mW Enhancement Mode Vertical DMOS FET - TO-92
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Bag Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated ZVNL110A - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ZVNL110A&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/zvnl110a-diodes-incorporated-7292055
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Diodes Incorporated ZVNL110A - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3Ω |
| Rated Power Dissipation: | 700mW |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 320mA |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 15ns |
| Rise Time: | 12ns |
| Fall Time: | 13ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.5V |
| Technology: | DMOS |
| Input Capacitance: | 75pF |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000+
$0.25
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Bag
Méthode de montage :
Through Hole