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Référence fabricant
FDD3672
N-Channel 100 V 28 mOhm Surface Mount UltraFET Trench Mosfet TO-252AA
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252AA Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDD3672 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDD3672&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdd3672-onsemi-8335523
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onsemi FDD3672 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 28mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 135|W |
| Qg Gate Charge: | 24nC |
| Style d'emballage : | TO-252AA |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDD3672 is a 100 V 28 mΩ N-Channel UltraTrench Mosfet Available in a TO-252AB Package .
Features:
- rDS(ON) = 24mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 44A
- Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
- Qualified to AEC Q101Formerly developmental type 82760
Applications:
- DC/DC converters and Off-Line UPS
- Distributed Power Architectures and VRMs
- Primary Switch for 24V and 48V Systems
- High Voltage Synchronous Rectifier
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.805
5 000
$0.795
7 500
$0.79
10 000+
$0.78
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount