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Référence fabricant
FDMT80080DC
MOSFET N-CH 80V
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :PQFN-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDMT80080DC - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMT80080DC&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdmt80080dc-onsemi-5178418
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onsemi FDMT80080DC - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.82mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.2W |
| Qg Gate Charge: | 273nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 36A |
| Turn-on Delay Time: | 67ns |
| Turn-off Delay Time: | 75ns |
| Rise Time: | 104ns |
| Fall Time: | 48ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | PowerTrench |
| Height - Max: | 0.9mm |
| Length: | 8mm |
| Input Capacitance: | 20720pF |
| Style d'emballage : | PQFN-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
35 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$2.67
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN-8
Méthode de montage :
Surface Mount