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Infineon | IPD60R600P7SAUMA1

Référence fabricant

IPD60R600P7SAUMA1

Single N-Channel 650V 600 mOhm 9 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IPD60R600P7SAUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6Ω
Rated Power Dissipation: 30W
Qg Gate Charge: 9C
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 6A
Turn-on Delay Time: 7ns
Turn-off Delay Time: 37ns
Rise Time: 6ns
Fall Time: 19ns
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.5V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 363pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
31 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
562,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.225
10 000
$0.22
37 500+
$0.215
Product Variant Information section