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Référence fabricant
NTMD6N02R2G
Dual N-Channel 20 V 35 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTMD6N02R2G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTMD6N02R2G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ntmd6n02r2g-onsemi-3066958
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onsemi NTMD6N02R2G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| Qg Gate Charge: | 20nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NTMD6N02R2G is a part of NTMD6N02R2 series N−channel power MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SOIC-8 package.
Features:
- Ultra Low RDS(on)
- Higher Efficiency Extending Battery Life
- Logic Level Gate Drive
- Miniature Dual SOIC−8 Surface Mount Package
- Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
- Avalanche Energy Specified
- SOIC−8 Mounting Information Provided
- Pb−Free Package is Available
Applications:
- DC−DC Converters
- Low Voltage Motor Control
- Power Management in Portable and Battery−Powered Products
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.335
5 000
$0.33
10 000
$0.325
12 500+
$0.32
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount