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Référence fabricant

SI4431CDY-T1-GE3

Single P-Channel 30 V 32 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2526
Product Specification Section
Vishay SI4431CDY-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 32mΩ
Rated Power Dissipation: 4.2|W
Qg Gate Charge: 38nC
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
7 500
États-Unis:
7 500
Sur commande :Order inventroy details
5 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
637,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.255
5 000
$0.25
12 500
$0.245
25 000+
$0.24
Product Variant Information section