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Référence fabricant
STP315N10F7
N-Channel 100 V 2.7 mOhm Flange Mount STripFET F7 Power Mosfet - TO-220AB
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2531 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP315N10F7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP315N10F7&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp315n10f7-stmicroelectronics-3050568
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STMicroelectronics STP315N10F7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 315W |
| Qg Gate Charge: | 180nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 180A |
| Turn-on Delay Time: | 62ns |
| Turn-off Delay Time: | 148ns |
| Rise Time: | 108ns |
| Fall Time: | 40ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Input Capacitance: | 12800pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
700
États-Unis:
700
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$2.48
200
$2.45
500
$2.42
1 250
$2.40
2 000+
$2.36
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole