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Référence fabricant
IPP50R190CEXKSA1
Single N-Channel 500 V 0.19 Ohm 47.2 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP50R190CEXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP50R190CEXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/ipp50r190cexksa1-infineon-7082922
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Infineon IPP50R190CEXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 127W |
| Qg Gate Charge: | 47.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 24.8A |
| Turn-on Delay Time: | 9.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 54ns |
| Rise Time: | 8.5ns |
| Fall Time: | 7.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 1137pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.925
40
$0.90
200
$0.875
750
$0.85
3 000+
$0.805
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole