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Référence fabricant
BD140
BD140 Series 80 V 1.5 A 1.25 W PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-126-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube | ||||||||||
| Code de date: | 2501 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics BD140 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BD140&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/bd140-stmicroelectronics-3913654
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STMicroelectronics BD140 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | PNP |
| Type: | Small Signal |
| CE Voltage-Max: | 80V |
| Collector Current Max: | 1.5A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.25W |
| DC Current Gain-Min: | 25 |
Fonctionnalités et applications
The BD140 is a complementary low voltage transistor with power dissipation of 12.5 W. Available in a SOT-32 package.
It is designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits.
Features:
- Products are pre-selected in DC current gain
- Storage temperature: -65 to 150 °C
- Tj Max. operating junction temperature: 150 °C
- Collector-base voltage (IE = 0): -80 V
Applications:
- General purpose
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Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.124
250
$0.121
1 250
$0.117
2 500
$0.116
7 500+
$0.111
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube