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Référence fabricant
BDW93C
BD Series NPN 80 W 100 V 12 A Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics BDW93C - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BDW93C&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/bdw93c-stmicroelectronics-6034833
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STMicroelectronics BDW93C - Caractéristiques techniques
| Polarity: | NPN |
| Type: | Darlington |
| CE Voltage-Max: | 100V |
| Collector Current Max: | 12A |
| Power Dissipation-Tot: | 80W |
| DC Current Gain-Min: | 100 |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP type is BDW94C. Also BDW94B is a PNP type.
Features:
- Complementry PNP - NPN Devices
- Interated Antiparallel Collector-Emitter Diode
Applications:
- Linear and Switching Inductrial Equipment
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole