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Référence fabricant
BSC032N04LSATMA1
BSC032xx Series 40 V 98 A 22 nC SMT OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2508 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC032N04LSATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC032N04LSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc032n04lsatma1-infineon-7173848
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC032N04LSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc032n04lsatma1-infineon-7173848
Infineon BSC032N04LSATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 21A |
| Turn-on Delay Time: | 4ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 4ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1800pF |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.215
15 000+
$0.21
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount