Référence fabricant
FDD8444
FDD8444 Series 40 V 5.2 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet TO-252-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2523 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDD8444 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi FDD8444 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5.2mΩ |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDD8444 is a 40 V, 50 A Through Hole N-Channel PowerTrench Field Effect Transistor Available in a TO-252 package. It works at a Operating Temperature ranging between -55 to 175 °C.
Features:
- RDS(ON) = 4mΩ (Typ), VGS = 10V, ID=50A
- Qg(10) = 89nC (Typ), VGS=10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse/Repetitive Pulse)
- Qualified to AEC Q101
- RoHS Compliant
Applications:
- Automotive Engine Control
- Powertrain Management
- Solenoid and Motor Drivers
- Electronic Transmission
- Distributed Power Architecture and VRMs
- Primary Switch for 12V Systems
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.635
5 000
$0.63
7 500
$0.625
10 000
$0.62
12 500+
$0.61
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount