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onsemi | FQD17P06TM

Référence fabricant

FQD17P06TM

FQD17P06 Series -60 V -12 A 135 mOhm SMT P-Channel QFET Mosfet - DPAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2521
Product Specification Section
onsemi FQD17P06TM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.135Ω
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 21nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FQD17P06TM is a 60 V 0.135 Ω P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode  

Features:

  • -12 A, -60 V, RDS(on)= 0.135 Ω@VGS= -10 V
  • Low gate charge ( typical 21 nC)
  • Low Crss (typical 80 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability 

 Applications:

  • High efficiency power management 
  • Automotive
  • Portable and battery operated products
  • Motor control
  • Audio amplifier
  • DC-AC converters

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 112,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.445
5 000
$0.44
10 000
$0.435
12 500+
$0.43
Product Variant Information section