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Infineon Technologies | IPB017N10N5LFATMA1

Référence fabricant

IPB017N10N5LFATMA1

IPB017 Series 100 V 180A 313W N-Channel Surface Mount MOSFET TO263-7

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.7mΩ
Rated Power Dissipation: 313W
Qg Gate Charge: 195nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 256A
Turn-on Delay Time: 7ns
Turn-off Delay Time: 128ns
Rise Time: 28ns
Fall Time: 82ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.3V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 650pF
Series: OptiMOS 5
Style d'emballage :  TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
46 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
8 490,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$8.49
Product Variant Information section