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Référence fabricant
IPB65R190C7ATMA2
IPB65R190C7 Series 650 V 13 A 190 mOhm 72 W 23 nC N-Channel MOSFET - TO-263
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2447 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB65R190C7ATMA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB65R190C7ATMA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb65r190c7atma2-infineon-1173895
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Infineon IPB65R190C7ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.19Ω |
| Rated Power Dissipation: | 72W |
| Qg Gate Charge: | 23nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 13A |
| Turn-on Delay Time: | 11ns |
| Turn-off Delay Time: | 54ns |
| Rise Time: | 11ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 1150pF |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
12 000
États-Unis:
12 000
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.22
2 000
$1.21
4 000
$1.20
5 000+
$1.19
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount