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Référence fabricant
IPT012N08NF2SATMA1
N-Channel 80 V 39 A 3.8 W Surface Mount Mosfet - PG-HSOF-8-10
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1800 par Style d'emballage :HSOF-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2443 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPT012N08NF2SATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPT012N08NF2SATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipt012n08nf2satma1-infineon-1196457
Infineon IPT012N08NF2SATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.23mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300W |
| Qg Gate Charge: | 255nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 351A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 72ns |
| Rise Time: | 72ns |
| Fall Time: | 44ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 12000pF |
| Series: | StrongIRFET™ 2 |
| Style d'emballage : | HSOF-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
50
États-Unis:
50
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1800 par
Style d'emballage :
HSOF-8
Méthode de montage :
Surface Mount