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Référence fabricant
IPU60R2K1CEAKMA1
IPU60R2K1CE Series 600 V 2100 mOhm CoolMOSTM CE Power Transistor - PG-TO-251
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :75 par Tube Style d'emballage :TO-251 (IPAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2448 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPU60R2K1CEAKMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPU60R2K1CEAKMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipu60r2k1ceakma1-infineon-4174084
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Infineon IPU60R2K1CEAKMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.1Ω |
| Rated Power Dissipation: | 38W |
| Qg Gate Charge: | 6.7nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 3.7A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 30ns |
| Rise Time: | 7ns |
| Fall Time: | 50ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 140pF |
| Style d'emballage : | TO-251 (IPAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
75
$0.193
4 500
$0.19
7 500
$0.188
15 000
$0.186
30 000+
$0.183
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
75 par Tube
Style d'emballage :
TO-251 (IPAK)
Méthode de montage :
Through Hole