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Référence fabricant
MRFE6VP5600HR5
MRFE6VPx Series 130 V 230 MHz RF Power Field Effect Transistor - NI-1230
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| Nom du fabricant: | NXP | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Reel | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
NXP MRFE6VP5600HR5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MRFE6VP5600HR5&field4=NXP&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/mrfe6vp5600hr5-nxp-5076520
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NXP MRFE6VP5600HR5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | RF Fet |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 130V |
| Rated Power Dissipation: | 1667W |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Input Capacitance: | 342pF |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50+
$205.59
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Reel