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Référence fabricant

TSM260P02CX6 RFG

MOSFET -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Taiwan Semiconductor
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2411
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TSM260P02CX6 RFG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 26mΩ
Rated Power Dissipation: 1.6W
Qg Gate Charge: 17nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 10V
Drain Current: 6.5A
Turn-on Delay Time: 9.4ns
Turn-off Delay Time: 102ns
Rise Time: 16ns
Fall Time: 49ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 0.6V
Input Capacitance: 1661pF
Style d'emballage :  SOT-26-6
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
24 000
États-Unis:
24 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
615,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.205
12 000
$0.20
45 000+
$0.195
Product Variant Information section