text.skipToContent text.skipToNavigation

warning.svgLes commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.
Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.

Truck-Icon.svgLivraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Mémoires
  4. Mémoires flash
  5. NOR Flash Memory
  6. Série
  7. MX25V8006EM1I-13G

Macronix | MX25V8006EM1I-13G

Référence fabricant

MX25V8006EM1I-13G

MX25U Series 3.6 V 8 Mb (8 M x 1 / 4 M x 2) Surface Mount Serial Flash -SOP - 8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Macronix
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Macronix MX25V8006EM1I-13G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Clock Frequency-Max: 75MHz
Memory Density: 8Mb
Memory Organization: 8 M x 1 / 4 M x 2
Supply Voltage-Nom: 2.35V to 3.6V
Temperature Grade: Industrial
Style d'emballage :  SOP-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The MX25V8006EM1I-13G is a Part of MX25V Series 3.6 V 8 Mb 75 MHz CMOS Serial Flash Memory available in surace mount SOIC-8 Package. It has an operating temperature ranging between -40 to 85°C.

Features:

  • Serial Peripheral interface compatible - Mode 0 and Mode 3
  • 8,388,608 X 1 bit structure
  • 4,194,304 X 2 bits structure (Dual output mode) structure
  • 256 Equal Sector with 4 K byte each,
    • Any block can be erased individually
  • 16 Equal Blocks with 64K byte each
    • Any block can be erased individually
  • Program capability
    • Byte base
    • Page base (256 bytes)
  • Single power supply operation
    • 2.35 to 3.6 volt for read,erase, and program operations
  • Latch-up protected to 100 mA from -1V to Vcc +1 V
  • High performace
    • Fast access time : 75 MHz serial clock
    • Serial clock of Dual output mode: 70 MHz
    • Fast program time : 1.4 ms (typ). and 5 ms (max)/page (256-byte per page)
    • Byte program time :9 µs
    • Fast erase time : 60 ms (typ.)/ sector (4K-byte per sector) ; 0.7s(typ)/block (64k-byte per block)
  • Low power consumption
    • Low active read current : 12 mA (max) at 75 MHz ,4 mA (max) at 33 MHz
    • Low active erase /programming current : 20 mA (max)
    • Deep power-down : 5µA (typ)
  • Minimum 100,000 erase/program cycles
  • 20 years data retention
  • PACKAGE
    • 8-pin SOP(150mil)
    • 8-land WSON (6X5mm, 0.8 mm package height)
  • All devices are ROHS Compliant

 

 

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
2 320
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
0,46 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$0.455
50
$0.445
150
$0.43
300
$0.425
1 000+
$0.405
Product Variant Information section